Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Analytical predictive 2d modeling of pinch-off behavior in nanoscale multi-gate mosfets

  • Identification data

    Identifier: TDX:1012
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1012
  • Authors:

    Weidemann, Michaela Patricia
  • Others:

    Date: 2011-01-12
    Departament/Institute: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Language: eng
    Identifier: http://hdl.handle.net/10803/52800
    Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Author: Weidemann, Michaela Patricia
    Director: Íñiguez Nicolau, Benjamí Kloes, Alexander
    Format: application/pdf 144 p.
    Publisher: Universitat Rovira i Virgili
    Keywords: Mosfet Multi-gate Nanoscale Modeling
    Title: Analytical predictive 2d modeling of pinch-off behavior in nanoscale multi-gate mosfets
    Subject: 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
  • Keywords:

    621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
  • Documents:

  • Cerca a google

    Search to google scholar