Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets

Identification data

Identifier: TDX:1152

Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1152
Authors:

Darbandy, Ghader
Others:

Date: 2012-12-10
Departament/Institute: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Language: eng
Identifier: http://hdl.handle.net/10803/97215
Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Author: Darbandy, Ghader
Director: Íñiguez Nicolau, Benjamí
Format: application/pdf 149 p.
Publisher: Universitat Rovira i Virgili
Keywords: Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets
Title: Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets
Subject: 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions