Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets

  • Identification data

    Identifier: TDX:1180
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1180
  • Authors:

    Schwarz, Mike
  • Others:

    Date: 2012-10-22
    Departament/Institute: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Language: eng
    Identifier: http://hdl.handle.net/10803/108995
    Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Author: Schwarz, Mike
    Director: Íñiguez Nicolau, Benjamí Kloes, Alexander
    Format: application/pdf 260 p.
    Publisher: Universitat Rovira i Virgili
    Keywords: nanoelectrònica modelització nanodispositius electrònics
    Title: Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
    Subject: 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions 62 - Enginyeria. Tecnologia
  • Keywords:

    621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
    62 - Enginyeria. Tecnologia
  • Documents:

  • Cerca a google

    Search to google scholar