Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.

  • Identification data

    Identifier: TDX:1416
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1416

  • Authors:

    Holtij, Thomas

  • Others:

    Departament/Institute: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Date: 2014-09-18
    Language: eng
    Identifier: http://hdl.handle.net/10803/284038 T 1670-2014
    Director: false Kloes, Alexander Iñiguez, Benjamin true thomasholtij@gmail.com
    Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Author: Holtij, Thomas
    Format: application/pdf 186 p.
    Publisher: Universitat Rovira i Virgili
    Keywords: TCAD Simulations MOSFET Modeling Semiconductor Devices simulaciones TCAD modelizacion de MOSFET Dispositivos semiconducto conformal mapping simulacions TCAD modelització de MOSFET dispositius semiconductor
    Title: ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
    Subject: 621.3 62 TCAD Simulations MOSFET Modeling Semiconductor Devices simulaciones TCAD modelizacion de MOSFET Dispositivos semiconducto conformal mapping simulacions TCAD modelització de MOSFET dispositius semiconductor

  • Keywords:

    621.3
    62
    TCAD Simulations
    MOSFET Modeling
    Semiconductor Devices
    simulaciones TCAD
    modelizacion de MOSFET
    Dispositivos semiconducto
    conformal mapping
    simulacions TCAD
    modelització de MOSFET
    dispositius semiconductor

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar