URV Institutional Repository
Español Català English
Title
Porous GaN produced by CVD: progress in development and characterization - TDX:2661
PublisherUniversitat Rovira i Virgili
Languageeng
SourceTDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Date2017-11-02
AuthorMena Gómez, Josué
Format292 p.
Formatapplication/pdf
Keywordschemical vapor deposition
Keywordsporous GaN
KeywordsGaN poroso
Keywordsdeposició química de vapor
Keywordssemiconductor
KeywordsGaN porós
Subject546
Subject544
Subject538.9
Subject535
SubjectCiències
Subjectchemical vapor deposition
Subjectporous GaN
SubjectGaN poroso
Subjectdeposició química de vapor
Subjectsemiconductor
SubjectGaN porós
Departament/Institute Departament d'Enginyeria Química
Departament/InstituteUniversitat Rovira i Virgili.
DirectorCarvajal Martí, Joan Josep
DirectorAguiló Díaz, Magdalena
TitlePorous GaN produced by CVD: progress in development and characterization
Identifierhttp://hdl.handle.net/10803/457707
Search your registry in
Available files
Memoria

Information

© 2016 Universitat Rovira i Virgili