Date: 2017-12-15

Departament/Institute: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.

Language: eng

Identifier: http://hdl.handle.net/10803/462901

Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Author: Hosenfeld, Fabian

Director: Gunther klös, Alexander Iñiguez Nicolau, Benjamin Gilbert Marie Lime, François

Format: 152 p. application/pdf

Publisher: Universitat Rovira i Virgili

Keywords: analytical modeling ultra-scaled MOSFET modelado analítico MOSFET ultra-escalado NEGF modelatge analític MOSFET d'ultraescala

Title: NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs

Subject: 621.3 62 Enginyeria i Arquitectura analytical modeling ultra-scaled MOSFET modelado analítico MOSFET ultra-escalado NEGF modelatge analític MOSFET d'ultraescala