Date: 2020-07-16

Departament/Institute: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.

Language: eng

Identifier: http://hdl.handle.net/10803/669806

Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Author: Farokhnejad, Atieh

Director: Iñiguez Nicolau, Benjamin Marie Lime, François Gilbert Klös, Alexander Gunther

Format: 120 p. application/pdf

Publisher: Universitat Rovira i Virgili

Keywords: Capacitance model compact modeling Tunnel-FET model de capacitància model compacte FET túnel

Title: Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

Subject: 621.3 62 Enginyeria i arquitectura Capacitance model compact modeling Tunnel-FET model de capacitància model compacte FET túnel