Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets

  • Identification data

    Identifier: TDX:972
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX972

  • Authors:

    Nae, Bogdan Mihai

  • Others:

    Date: 2011-04-29
    Departament/Institute: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Language: eng
    Identifier: http://hdl.handle.net/10803/38883
    Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Author: Nae, Bogdan Mihai
    Director: Lázaro, Antonio (Lázaro Guillén)
    Format: application/pdf 296 p.
    Publisher: Universitat Rovira i Virgili
    Keywords: Compact modeling RF Noise Multiple-Gate MOSFET
    Title: Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets
    Subject: 621 - Enginyeria mecànica en general. Tecnologia nuclear. Electrotècnia. Maquinària 53 - Física

  • Keywords:

    621 - Enginyeria mecànica en general. Tecnologia nuclear. Electrotècnia. Maquinària
    53 - Física

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar