Fecha: 2017-11-02

Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Química Universitat Rovira i Virgili.

Idioma: eng

Identificador: http://hdl.handle.net/10803/457707

Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Autor: Mena Gómez, Josué

Director: Carvajal Martí, Joan Josep Aguiló Díaz, Magdalena

Formato: 292 p. application/pdf

Editor: Universitat Rovira i Virgili

Palabra clave: chemical vapor deposition porous GaN GaN poroso deposició química de vapor semiconductor GaN porós

Título: Porous GaN produced by CVD: progress in development and characterization

Materia: 546 544 538.9 535 Ciències chemical vapor deposition porous GaN GaN poroso deposició química de vapor semiconductor GaN porós