Umem-based capacitance model for organic  field effect transistors: development and implementation

Castro Carranza, Alejandra

Belongs to TDX:SerieTesis collection

TITLE:

Umem-based capacitance model for organic field effect transistors: development and implementation - TDX:1190

Handle:

https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1190

Date:	2013-02-19
Departament/Institute:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Director:	Pallarés Marzal, Josep Íñiguez Nicolau, Benjamí
Author:	Castro Carranza, Alejandra
Title:	Umem-based capacitance model for organic field effect transistors: development and implementation

Search your record at:

Available files
File	Description	Format
Memoria	Memory	application/pdf

All objects of this collection

Description:	We developed a new charge and capacitance analytical compact model for organic field effect transistors (OFETs) which we have called UBCM. The model is continuous and valid in all device operation regimes, i.e. accumulation, partial depletion and total depletion. It operates at low and medium frequencies since a quasi-static operation is assumed. The parameters applied in UBCM are analytically extracted from the current-voltage (I-V) characteristics of the OFETs using the unified model and extraction method (UMEM), thus the capacitance model is consistent with the I-V one. The overlap capacitance effect is taken into account and the frequency dependence is considered empirically by means of the insulator permittivity. Comparisons between modeled and experimental gate-to-channel capacitances of OTFTs based on different materials show the validity of the model. Finally, UBCM was implemented in circuit simulators by means of its Verilog-A and Spice codes to simulate organic inverters. En este trabajo de tesis se ha desarrollado un nuevo modelo analítico y compacto de carga y capacitancia para transistores orgánicos de efecto de campo (OFETs por sus siglas en inglés) al que hemos llamado UBCM. El modelo es válido y continuo en todas las regiones de operación del dispositivo, que son acumulación, agotamiento parcial y agotamiento total, asumiendo una operación cuasi-estática, por lo que es válido para bajas y medias frecuencias. Los parámetros aplicados en UBCM son analíticamente extraídos de las características de corriente-voltaje de los OFETs mediante UMEM (Método de Extracción de Parámetros y Modelo Unificado), por lo que UBCM es consistente con el modelo de corriente que describe al dispositivo. Finalmente UBCM se ha implementado en simuladores de circuitos mediante su código en Verilog-A y Spice, y ha sido utilizado en la simulación de inversores orgánicos, resultados que se han validado con mediciones experimentales.
Type:	info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Contributor:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Títol:	Umem-based capacitance model for organic field effect transistors: development and implementation
Language:	eng
Subject:	6 - Ciències aplicades 53 - Física
Format:	application/pdf 151 p.
Creator:	Castro Carranza, Alejandra
Rights:	info:eu-repo/semantics/openAccess ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
Date:	2013-02-19
Publisher:	Universitat Rovira i Virgili
Subject:	6 - Ciències aplicades 53 - Física
Language:	eng
Publisher:	Universitat Rovira i Virgili
Source:	TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Identifier:	http://hdl.handle.net/10803/111164
Format:	application/pdf 151 p.
Keywords:	compact modeling Organic field effect transistors

Information