Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

Farokhnejad, Atieh

Belongs to TDX:SerieTesis collection

TITLE:

Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs - TDX:3102

Handle:

http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX3102

Date:	2020-07-16
Departament/Institute:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Director:	Iñiguez Nicolau, Benjamin Marie Lime, François Gilbert Klös, Alexander Gunther
Author:	Farokhnejad, Atieh
Title:	Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

Search your record at:

Available files
File	Description	Format
Memoria	Memory	application/pdf

All objects of this collection

Type:	info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Contributor:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Títol:	Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs
Language:	eng
Subject:	621.3 62 Enginyeria i arquitectura Capacitance model compact modeling Tunnel-FET model de capacitància model compacte FET túnel
Format:	120 p. application/pdf
Creator:	Farokhnejad, Atieh
Rights:	info:eu-repo/semantics/openAccess ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
Date:	2020-07-16
Publisher:	Universitat Rovira i Virgili
Subject:	621.3 62 Enginyeria i arquitectura Capacitance model compact modeling Tunnel-FET model de capacitància model compacte FET túnel
Language:	eng
Publisher:	Universitat Rovira i Virgili
Source:	TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Identifier:	http://hdl.handle.net/10803/669806
Format:	120 p. application/pdf
Keywords:	Capacitance model compact modeling Tunnel-FET model de capacitància model compacte FET túnel

Information