Analytical Modeling of Ultrashort-Channel MOS Transistors

Yilmaz, Kerim

Belongs to TDX:SerieTesis collection

TITLE:

Analytical Modeling of Ultrashort-Channel MOS Transistors - TDX:3835

Handle:

http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX3835

Date:	2022-02-24
Departament/Institute:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Director:	Klös, Alexander Gunther Lime, François Gilbert Marie
Author:	Yilmaz, Kerim
Title:	Analytical Modeling of Ultrashort-Channel MOS Transistors

Search your record at:

Available files
File	Description	Format
Memoria	Memory	application/pdf

All objects of this collection

Type:	info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Contributor:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Títol:	Analytical Modeling of Ultrashort-Channel MOS Transistors
Language:	eng
Subject:	621.3 62 53 0 Enginyeria i arquitectura quantum effects analytical modeling efectos cuánticos modelo analítico efectes quàntics GAA FET model analític
Format:	144 p. application/pdf
Creator:	Yilmaz, Kerim
Rights:	info:eu-repo/semantics/openAccess ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
Date:	2022-02-24
Publisher:	Universitat Rovira i Virgili
Subject:	621.3 62 53 0 Enginyeria i arquitectura quantum effects analytical modeling efectos cuánticos modelo analítico efectes quàntics GAA FET model analític
Language:	eng
Publisher:	Universitat Rovira i Virgili
Source:	TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Identifier:	http://hdl.handle.net/10803/674081
Format:	144 p. application/pdf
Keywords:	quantum effects analytical modeling efectos cuánticos modelo analítico efectes quàntics GAA FET model analític

Information