Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets

Schwarz, Mike

Descripción:

En esta tesis se analiza el comportamiento físico de los principales mecanismos de transporte en dispositivos Schottky barrier (Double-Gate) MOSFET nanométricos, y se presentan nuevos modelos compactos apropiads. Se desarrollaron soluciones analíticas completamente bidimensionales de la electrostàtica de estos dispositivos con ayuda de la técnica de mapeado conforme Schwarz-Christoffel. Basándose en estas soluciones electrostáticas analíticas, se desarrolló un método analítico de cálculo de las corrientes. El modelo se comparó y validó con simulaciones numéricas obtenidas mediante TCAD Sentaurus para longitudes de canal de hasta 22 nm, y con medidas experimentales de dispositivos SB-UTB-MOSFET con segregación de dopantes y longitud de canal de 80 nm. Se obtuvo una muy buena concordancia entre las predicciones del modelo compacto por un lado, y las simulaciones TCAD y medidas experimentales por otro.

Tipo:

info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis

Coautor:

Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili.

Títol:

Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets

Idioma:

eng

Materia:

621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
62 - Enginyeria. Tecnologia

Formato:

application/pdf
260 p.

Autor:

Schwarz, Mike

Derechos:

info:eu-repo/semantics/openAccess
ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.

Fecha:

2012-10-22

Editor:

Universitat Rovira i Virgili

Materia:

621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
62 - Enginyeria. Tecnologia

Idioma:

eng

Editor:

Universitat Rovira i Virgili

Fuente:

TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Identificador:

http://hdl.handle.net/10803/108995

Formato:

application/pdf
260 p.

Palabra clave:

nanoelectrònica
modelització
nanodispositius electrònics

Fecha:	2012-10-22
Departamento/Instituto:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Director:	Íñiguez Nicolau, Benjamí Kloes, Alexander
Autor:	Schwarz, Mike
Título:	Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets

Información