Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets

Nae, Bogdan Mihai

Descripción:

La reducción de la tecnología MOSFET planar ha sido la opción tecnológica dominante en las últimas décadas. Sin embargo, hemos llegado a un punto en el que los materiales y problemas en los dispositivos surgen, abriendo la puerta para estructuras alternativas de los dispositivos. Entre estas estructuras se encuentran los dispositivos DG, SGT y Triple-Gate. Estas tres estructuras están estudiadas en esta tesis, en el contexto de rducir las dimensiones de los dispositivos a tamaños tales que los mecanismos cuánticos y efectos de calan coro deben tenerse n cuenta. Estos efectos vienen con una seria de desafíos desde el pun to de vista de modelación, unos de los más grandes siendo el tiempo y los recursos comprometidos para ejecutar las simulaciones. para resolver este problema, esta tesis propone modelos comlets analíticos y compactos para cada una de las geometrías, validos desde DC hasta el modo de operación en Rf para los nodos tecnológicos futuros. Dichos modelos se han extendido para analizar el ruido de alta frecuencia en estos diapositivos.

Tipo:

info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis

Coautor:

Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili.

Títol:

Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets

Idioma:

eng

Materia:

621 - Enginyeria mecànica en general. Tecnologia nuclear. Electrotècnia. Maquinària
53 - Física

Formato:

application/pdf
296 p.

Autor:

Nae, Bogdan Mihai

Derechos:

info:eu-repo/semantics/openAccess
ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.

Fecha:

2011-04-29

Editor:

Universitat Rovira i Virgili

Materia:

621 - Enginyeria mecànica en general. Tecnologia nuclear. Electrotècnia. Maquinària
53 - Física

Idioma:

eng

Editor:

Universitat Rovira i Virgili

Fuente:

TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Identificador:

http://hdl.handle.net/10803/38883

Formato:

application/pdf
296 p.

Palabra clave:

Compact modeling
RF
Noise
Multiple-Gate MOSFET

Fecha:	2011-04-29
Departamento/Instituto:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Director:	Lázaro, Antonio (Lázaro Guillén)
Autor:	Nae, Bogdan Mihai
Título:	Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets

Información