Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models

Cheralathan, Muthupandian

Descripció:

En esta tesis hemos desarrollado modelos compactos que incorporan un modelo de transporte hidrodinámico adaptado a multi-gate (principalmente double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de modelos unificados de control de carga I del potencial de superficie, obtenidos de la ecuación de Poisson. Todos estos dispositivos se modelizan siguiendo un esquema similar. La corriente y cargas totales escriben en función de las densidades de carga móvil por unidad de área en los extremos drenador y fuente del canal. Los efectos de canal corto y cuánticos también se incluyen en el modelo compacto desarrollado. El modelo desarrollado muestra un buen acuerdo con simulaciones numéricas 2D y 3D en todos los regímenes de operación. El modelo desarrollado se implementa y testea el simulador de circuitos SMASH para el análisis de los comportamientos DC y transitorio de circuitos CMOS.
En aquesta tesi hem desenvolupat models compactes que incorporen un model de transport hidrodinàmic adaptat a multi-gate (principalment double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de models unificats de control de càrrega I del potencial de superfície, obtinguts de l’equació de Poisson. Tots aquests dispositius es modelitzen seguint un esquema semblant. El corrent i càrregues totals s’escriuen en funció de les densitats de càrrega mòbil per unitat d’àrea als extrems drenador i font del canal. Els efectes de canal curt i quàntics també s’inclouen en el model compacte desenvolupat. El model desenvolupat mostra un bon acord amb simulacions numèriques 2D i 3D en tots els règims d’operació. El model desenvolupat s’implementa i testeja al simulador de circuits SMASH per a l’anàlisi dels comportaments DC i transitori de circuits CMOS.

Tipus:

info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis

Coautor:

Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili.

Títol:

Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models

Idioma:

eng

Matèria:

621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions

Format:

application/pdf
180 p.

Autor:

Cheralathan, Muthupandian

Drets:

info:eu-repo/semantics/openAccess
ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.

Data:

2013-02-25

Editor:

Universitat Rovira i Virgili

Matèria:

621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions

Idioma:

eng

Editor:

Universitat Rovira i Virgili

Font:

TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Identificador:

http://hdl.handle.net/10803/111165

Format:

application/pdf
180 p.

Paraula Clau:

Advanced Transport models
Multi-gate MOSFETs
compact modeling

Data:	2013-02-25
Departament/Institut:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Director:	Íñiguez Nicolau, Benjamí
Autor:	Cheralathan, Muthupandian
Títol:	Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models

Informació