Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models

Cheralathan, Muthupandian

Belongs to TDX:SerieTesis collection

TITLE:

Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models - TDX:1191

Handle:

https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1191

Date:	2013-02-25
Departament/Institute:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Director:	Íñiguez Nicolau, Benjamí
Author:	Cheralathan, Muthupandian
Title:	Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models

Search your record at:

Available files
File	Description	Format
Memoria	Memory	application/pdf

All objects of this collection

Description:	En esta tesis hemos desarrollado modelos compactos que incorporan un modelo de transporte hidrodinámico adaptado a multi-gate (principalmente double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de modelos unificados de control de carga I del potencial de superficie, obtenidos de la ecuación de Poisson. Todos estos dispositivos se modelizan siguiendo un esquema similar. La corriente y cargas totales escriben en función de las densidades de carga móvil por unidad de área en los extremos drenador y fuente del canal. Los efectos de canal corto y cuánticos también se incluyen en el modelo compacto desarrollado. El modelo desarrollado muestra un buen acuerdo con simulaciones numéricas 2D y 3D en todos los regímenes de operación. El modelo desarrollado se implementa y testea el simulador de circuitos SMASH para el análisis de los comportamientos DC y transitorio de circuitos CMOS. En aquesta tesi hem desenvolupat models compactes que incorporen un model de transport hidrodinàmic adaptat a multi-gate (principalment double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de models unificats de control de càrrega I del potencial de superfície, obtinguts de l’equació de Poisson. Tots aquests dispositius es modelitzen seguint un esquema semblant. El corrent i càrregues totals s’escriuen en funció de les densitats de càrrega mòbil per unitat d’àrea als extrems drenador i font del canal. Els efectes de canal curt i quàntics també s’inclouen en el model compacte desenvolupat. El model desenvolupat mostra un bon acord amb simulacions numèriques 2D i 3D en tots els règims d’operació. El model desenvolupat s’implementa i testeja al simulador de circuits SMASH per a l’anàlisi dels comportaments DC i transitori de circuits CMOS.
Type:	info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Contributor:	Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Títol:	Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models
Language:	eng
Subject:	621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
Format:	application/pdf 180 p.
Creator:	Cheralathan, Muthupandian
Rights:	info:eu-repo/semantics/openAccess ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
Date:	2013-02-25
Publisher:	Universitat Rovira i Virgili
Subject:	621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
Language:	eng
Publisher:	Universitat Rovira i Virgili
Source:	TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Identifier:	http://hdl.handle.net/10803/111165
Format:	application/pdf 180 p.
Keywords:	Advanced Transport models Multi-gate MOSFETs compact modeling

Information