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Mode-locked Tm,Ho:KLu(WO4)2 laser at 2060 nm using InGaSb-based SESAMs

  • Datos identificativos

    Identificador: PC:2838
    Autores:
    Mateos, XAleksandrov, VGluth, A.Petrov, VSteinmeyer, GPaajaste, JSuomalainen, SHärkönen, AGuina, MDíaz, FGriebner, U
    Resumen:
    Filiació URV: SI
  • Otros:

    Autor según el artículo: Mateos, X; Aleksandrov, V; Gluth, A.; Petrov, V; Steinmeyer, G; Paajaste, J; Suomalainen, S; Härkönen, A; Guina, M; Díaz, F; Griebner, U
    Departamento: Química Física i Inorgànica
    Autor/es de la URV: MATEOS FERRÉ, XAVIER; Aleksandrov, V; Gluth, A.; Petrov, V; Steinmeyer, G; Paajaste, J; Suomalainen, S; Härkönen, A; Guina, M; DÍAZ GONZÁLEZ, FRANCISCO MANUEL; Griebner, U
    Resumen: Passive mode-locking of a Tm,Ho:KLu(WO4)2 laser operating at 2060 nm using different designs of InGaAsSb quantum-well based semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) is demonstrated. The self-starting mode-locked laser delivers pulse durations between 4 and 8 ps at a repetition rate of 93 MHz with maximum average output power of 155 mW. Mode-locking performance of a Tm,Ho:KLu(WO4)2 laser is compared for usage of a SESAM to a single-walled carbon nanotube saturable absorber.
    Grupo de investigación: Física i Cristal.lografia de Materials
    Áreas temáticas: Chemistry Química Química
    Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
    ISSN: 1094-4087
    Identificador del autor: 0000-0003-1940-1990; ; ; ; ; ; ; ; ; 0000-0003-4581-4967;
    Fecha de alta del registro: 2017-05-25
    Página final: 4619
    Volumen de revista: 23
    Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/publishedVersion
    Enlace a la fuente original: https://www.osapublishing.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-23-4-4614
    URL Documento de licencia: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
    DOI del artículo: 10.1364/OE.23.004614
    Entidad: Universitat Rovira i Virgili
    Año de publicación de la revista: 2015
    Página inicial: 4614
    Tipo de publicación: Article Artículo Article
  • Palabras clave:

    Làsers de semiconductors
    Chemistry
    Química
    Química
    1094-4087
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