Compact modeling of multiple gate mos devices.

Identificador:  TDX:1908

Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1908

Autors:  Abd El Hamid, Hamdy Mohamed

Resum:
En esta tesis hemos estudiado las características de los dispositivos MOSFET nodopados de puerta múltiple (multiple-gate MOSFETs), con dimensiones nanométricas.Hemos introducido modelos compactos de los efectos de canal corto (SCEs) para trestipos de dispositivos MOS de puerta múltiple (surrounding-gate MOSFET, double-gateMOSFET, y FinFET). Se han conseguido modelar los principales parámetros afectadospor los efectos de canal corto. Este trabajo supone un avance muy importante en el modelado de los nuevosdispositivos nanométricos MOS de puerta múltiple. Una buena prueba de ello es que lamayor parte de los resultados presentados en esta tesis se han publicado (o estánaceptados para publicación) en prestigiosas revistas internacionales y en actas decongresos internacionales de reconocido prestigio.