Physical behaviour analysis and compact temperature-dependent modeling in Organic and IGZO TFTs

Identificador:  TDX:3343

Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX3343

Autors:  Cortes Ordoñez, Harold

Resum:
En aquesta tesi, tenim com a objectiu el modelat de corrent de desguàs per a transistors orgànics de pel·licula fina (OTFTs) i transistors de pel·lícula fina de l'oxi Indium-GalliumZinc (TFTGZO) de 150K a 370K, a més, presentem un model per a la capacitancça gate-gate per OTFTs. utilitzant els models de corrent desenvolupats, analitzen les dependències de temperatura aplicant mètodes d'extracció de paràmetres directes a les característiques experimental I-V aplicant temperatures de 150 a 370K per a OTFTs i GZOs, A més analitzen el comportament de la capacitança de la porta de temperatures que oscil·len entre 200K i 300K. La majoria dels paràmetres del model de capacitança de la porta s'extreuen de les característiques I-V. Hem validat correctament els nostres models en compració amb les característiques experimentals I-V tant de OTFTs com de TFT IGZO de 150k a 370K i C-V a diferents freqüències de OTFTs.