Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Fabricación y Caracterización de dispositivos basados en Silicio Poroso sobre c-Si. Aplicaciones eléctricas, Ópticas y Térmicas.

  • Datos identificativos

    Identificador: TDX:1905
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1905
  • Autores:

    Fonthal Rico, Faruk
  • Otros:

    Fecha: 2006-10-25
    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: spa
    Identificador: urn:isbn:9788469076071 http://hdl.handle.net/10803/8453
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Fonthal Rico, Faruk
    Director: Pallarés Marzal, Josep
    Formato: application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: fabricación silicio poroso caracterización silicio macroporoso
    Título: Fabricación y Caracterización de dispositivos basados en Silicio Poroso sobre c-Si. Aplicaciones eléctricas, Ópticas y Térmicas.
    Materia: 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
  • Palabras clave:

    621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
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