Fecha: 2022-02-24
Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Idioma: eng
Identificador: http://hdl.handle.net/10803/674081
Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Autor: Yilmaz, Kerim
Director: Klös, Alexander Gunther Lime, François Gilbert Marie
Formato: 144 p. application/pdf
Editor: Universitat Rovira i Virgili
Palabra clave: quantum effects analytical modeling efectos cuánticos modelo analítico efectes quàntics GAA FET model analític
Título: Analytical Modeling of Ultrashort-Channel MOS Transistors
Materia: 621.3 62 53 0 Enginyeria i arquitectura quantum effects analytical modeling efectos cuánticos modelo analítico efectes quàntics GAA FET model analític
Repositori URV