Tesis doctoralsDepartament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Analytical Modeling of Ultrashort-Channel MOS Transistors

  • Datos identificativos

    Identificador:  TDX:3835
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX3835
    Autores:  Yilmaz, Kerim

  • Otros:

    Fecha: 2022-02-24; 2022-04-20T10:37:31Z; 2022-04-20T10:37:31Z
    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/674081
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Yilmaz, Kerim
    Director: Klös, Alexander; Lime, François Gilbert Marie
    Formato: application/pdf; application/pdf; 144 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: quantum effects; analytical modeling; efectos cuánticos; modelo analítico; efectes quàntics; GAA FET; model analític
    Título: Analytical Modeling of Ultrashort-Channel MOS Transistors
    Materia: 621.3; 62; 53; 0; Enginyeria i arquitectura; quantum effects; analytical modeling; efectos cuánticos; modelo analítico; efectes quàntics; GAA FET; model analític

  • Palabras clave:

    621.3
    62
    53
    0
    Enginyeria i arquitectura
    quantum effects
    analytical modeling
    efectos cuánticos
    modelo analítico
    efectes quàntics
    GAA FET
    model analític

  • Documentos:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar