Autor segons l'article: Mateos X; Serres JM; Loiko P; Yumashev K; Griebner U; Petrov V; Aguiló M; Díaz F
Departament: Química Física i Inorgànica
Autor/s de la URV: MATEOS FERRÉ, XAVIER; Serres JM; Loiko P; Yumashev K; Griebner U; Petrov V; AGUILÓ DÍAZ, MAGDALENA; DÍAZ GONZÁLEZ, FRANCISCO MANUEL
Resum: We report on the first Tm-doped double tungstate microchip laser Q-switched with graphene using a Tm:KLu(WO<sub>4</sub>)<sub>2</sub> crystal cut along the N<sub>g</sub> dielectric axis. This laser generates a maximum average output power of 310 mW with a slope efficiency of 13%. At a repetition rate of 190 kHz the shortest pulses with 285 ns duration and 1.6 µJ energy are achieved.
Grup de recerca: Física i Cristal·lografia de Nanomaterials Física i Cristal.lografia de Materials
Àrees temàtiques: Chemistry Química Química
Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
ISSN: 1094-4087
Identificador de l'autor: 0000-0003-1940-1990; ; ; ; ; ; 0000-0001-6130-9579; 0000-0003-4581-4967
Data d'alta del registre: 2017-05-26
Pàgina final: 14113
Volum de revista: 23
Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Programa de finançament: altres; Grups consolidats Generalitat de Catalunya; 2014SGR1358 plan; Retos; MAT2013-47395-C4-4-R plan; Excelencia; MAT2011-29255-C02-02
URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
Entitat: Universitat Rovira i Virgili
Any de publicació de la revista: 2015
Pàgina inicial: 14108
Tipus de publicació: Article Artículo Article