Autor según el artículo: Mateos X; Serres JM; Loiko P; Yumashev K; Griebner U; Petrov V; Aguiló M; Díaz F

Departamento: Química Física i Inorgànica

Autor/es de la URV: MATEOS FERRÉ, XAVIER; Serres JM; Loiko P; Yumashev K; Griebner U; Petrov V; AGUILÓ DÍAZ, MAGDALENA; DÍAZ GONZÁLEZ, FRANCISCO MANUEL

Resumen: We report on the first Tm-doped double tungstate microchip laser Q-switched with graphene using a Tm:KLu(WO<sub>4</sub>)<sub>2</sub> crystal cut along the N<sub>g</sub> dielectric axis. This laser generates a maximum average output power of 310 mW with a slope efficiency of 13%. At a repetition rate of 190 kHz the shortest pulses with 285 ns duration and 1.6 µJ energy are achieved.

Grupo de investigación: Física i Cristal·lografia de Nanomaterials Física i Cristal.lografia de Materials

Áreas temáticas: Chemistry Química Química

Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/

ISSN: 1094-4087

Identificador del autor: 0000-0003-1940-1990; ; ; ; ; ; 0000-0001-6130-9579; 0000-0003-4581-4967

Fecha de alta del registro: 2017-05-26

Página final: 14113

Volumen de revista: 23

Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Enlace a la fuente original: https://www.osapublishing.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-23-11-14108

Programa de financiación: altres; Grups consolidats Generalitat de Catalunya; 2014SGR1358 plan; Retos; MAT2013-47395-C4-4-R plan; Excelencia; MAT2011-29255-C02-02

DOI del artículo: 10.1364/OE.23.014108

Entidad: Universitat Rovira i Virgili

Año de publicación de la revista: 2015

Página inicial: 14108

Tipo de publicación: Article Artículo Article