Enllaç font original: https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.202400515
Referència de l'ítem segons les normes APA: Calvet, LE; El-Nakouzi, S; Li, ZL; Kim, Y; Zaibi, A; Golec, P; Bhattacharyya, IM; Bonnassieux, Y; Kadura, L; Iñiguez, B (2024). Simulating Organic Thin Film Transistors Using Multilayer Perceptron Regression Models to Enable Circuit Design. Advanced Electronic Materials, 10(12), -. DOI: 10.1002/aelm.202400515
Referència a l'article segons font original: Advanced Electronic Materials. 10 (12):
DOI de l'article: 10.1002/aelm.202400515
Any de publicació de la revista: 2024-12-05
Entitat: Universitat Rovira i Virgili
Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Data d'alta del registre: 2026-05-09
Autor/s de la URV: Iñiguez Nicolau, Benjamin
Departament: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
Tipus de publicació: Journal Publications
Autor segons l'article: Calvet, LE; El-Nakouzi, S; Li, ZL; Kim, Y; Zaibi, A; Golec, P; Bhattacharyya, IM; Bonnassieux, Y; Kadura, L; Iñiguez, B
Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
Àrees temàtiques: Physics, applied, Nanoscience & nanotechnology, Materials science, multidisciplinary, Electronic, optical and magnetic materials, Astronomia / física
Adreça de correu electrònic de l'autor: benjamin.iniguez@urv.cat