Enlace a la fuente original: https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.202400515
Referencia de l'ítem segons les normes APA: Calvet, LE; El-Nakouzi, S; Li, ZL; Kim, Y; Zaibi, A; Golec, P; Bhattacharyya, IM; Bonnassieux, Y; Kadura, L; Iñiguez, B (2024). Simulating Organic Thin Film Transistors Using Multilayer Perceptron Regression Models to Enable Circuit Design. Advanced Electronic Materials, 10(12), -. DOI: 10.1002/aelm.202400515
Referencia al articulo segun fuente origial: Advanced Electronic Materials. 10 (12):
DOI del artículo: 10.1002/aelm.202400515
Año de publicación de la revista: 2024-12-05
Entidad: Universitat Rovira i Virgili
Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Fecha de alta del registro: 2026-05-09
Autor/es de la URV: Iñiguez Nicolau, Benjamin
Departamento: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
URL Documento de licencia: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
Tipo de publicación: Journal Publications
Autor según el artículo: Calvet, LE; El-Nakouzi, S; Li, ZL; Kim, Y; Zaibi, A; Golec, P; Bhattacharyya, IM; Bonnassieux, Y; Kadura, L; Iñiguez, B
Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
Áreas temáticas: Physics, applied, Nanoscience & nanotechnology, Materials science, multidisciplinary, Electronic, optical and magnetic materials, Astronomia / física
Direcció de correo del autor: benjamin.iniguez@urv.cat