Autor segons l'article: Broche, Anisleidy; Cerdeira, Antonio; Iniguez, Benjamin; Estrada, Magali
Departament: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Autor/s de la URV: Iñiguez Nicolau, Benjamin
Paraules clau: Dos in mos2 2d fet Mobility of mos2 2d fets Mos2 2d fet modelling and simulatio Mos2 2d fet modelling and simulation
Resum: The behaviour of MoS2 FETs, with channel lengths greater than the mean free path of carriers was analysed. Electrical behaviour of experimental devices with channel lengths of 5 mu m and 0.1 mu m was studied, modelled and simulated, concluding that the predominant transport mechanism observed was hopping. The presence of a localized density of states (DOS) distribution in the semiconductor layer, causing the behaviour observed in these devices, was studied and determined by both modelling and simulation.
Àrees temàtiques: Engineering, electrical & electronic
Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
Adreça de correu electrònic de l'autor: benjamin.iniguez@urv.cat
Identificador de l'autor: 0000-0002-6504-7980
Data d'alta del registre: 2025-02-08
Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Referència a l'article segons font original: Facta Universitatis (Nis), Series: Electronics And Energetics. 37 (4): 609-617
Referència de l'ítem segons les normes APA: Broche, Anisleidy; Cerdeira, Antonio; Iniguez, Benjamin; Estrada, Magali (2024). DETERMING THE CHARACTERISTICS OF THE LOCALIZED DENSITY OF STATES DISTRIBUTION PRESENT IN MOS2 2D FETS. Facta Universitatis (Nis), Series: Electronics And Energetics, 37(4), 609-617. DOI: 10.2298/FUEE2404609B
URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
Entitat: Universitat Rovira i Virgili
Any de publicació de la revista: 2024
Tipus de publicació: Journal Publications
Repositori URV