Articles producció científicaEnginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

DETERMING THE CHARACTERISTICS OF THE LOCALIZED DENSITY OF STATES DISTRIBUTION PRESENT IN MOS2 2D FETS

  • Dades identificatives

    Identificador:  imarina:9414850
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/imarina9414850
    Autors:  Broche, Anisleidy; Cerdeira, Antonio; Iniguez, Benjamin; Estrada, Magali
    Resum:
    The behaviour of MoS2 FETs, with channel lengths greater than the mean free path of carriers was analysed. Electrical behaviour of experimental devices with channel lengths of 5 mu m and 0.1 mu m was studied, modelled and simulated, concluding that the predominant transport mechanism observed was hopping. The presence of a localized density of states (DOS) distribution in the semiconductor layer, causing the behaviour observed in these devices, was studied and determined by both modelling and simulation.

  • Altres:

    Enllaç font original: https://doiserbia.nb.rs/Article.aspx?ID=0353-36702404609B
    Referència de l'ítem segons les normes APA: Broche, Anisleidy; Cerdeira, Antonio; Iniguez, Benjamin; Estrada, Magali (2024). DETERMING THE CHARACTERISTICS OF THE LOCALIZED DENSITY OF STATES DISTRIBUTION PRESENT IN MOS2 2D FETS. Facta Universitatis (Nis), Series: Electronics And Energetics, 37(4), 609-617. DOI: 10.2298/FUEE2404609B
    Referència a l'article segons font original: Facta Universitatis (Nis), Series: Electronics And Energetics. 37 (4): 609-617
    DOI de l'article: 10.2298/FUEE2404609B
    Any de publicació de la revista: 2024
    Entitat: Universitat Rovira i Virgili
    Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/publishedVersion
    Data d'alta del registre: 2025-02-08
    Autor/s de la URV: Iñiguez Nicolau, Benjamin
    Departament: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
    URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
    Tipus de publicació: Journal Publications
    Autor segons l'article: Broche, Anisleidy; Cerdeira, Antonio; Iniguez, Benjamin; Estrada, Magali
    Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
    Àrees temàtiques: Engineering, electrical & electronic
    Adreça de correu electrònic de l'autor: benjamin.iniguez@urv.cat

  • Paraules clau:

    Dos in mos2 2d fet
    Mobility of mos2 2d fets
    Mos2 2d fet modelling and simulatio
    Mos2 2d fet modelling and simulation
    Engineering
    Electrical & Electronic

  • Documents:

    DocumentPrincipal

  • Cerca a google

    Search to google scholar