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Indium-modified Yb:KLu(WO4)2 crystal: Growth, spectroscopy and laser operation

  • Datos identificativos

    Identificador: PC:2470
    Autores:
    X. MateosJ.M. SerresP. LoikoU. GriebnerV. PetrovK. YumashevM. AguilóF. Díaz
    Resumen:
    Filiació URV: SIInclòs a la memòria: SI
  • Otros:

    Autor según el artículo: X. Mateos; J.M. Serres; P. Loiko; U. Griebner; V. Petrov; K. Yumashev; M. Aguiló; F. Díaz
    Departamento: Química Física i Inorgànica
    Autor/es de la URV: MATEOS FERRÉ, XAVIER; J.M. Serres; P. Loiko; U. Griebner; V. Petrov; K. Yumashev; AGUILÓ DÍAZ, MAGDALENA; DÍAZ GONZÁLEZ, FRANCISCO MANUEL
    Palabras clave: absorption luminescence Diode-pumped laser
    Resumen: We report on the growth, spectroscopic and laser characterization of a novel monoclinic laser crystal, Yb,In:KLu(WO4)2 (Yb,In:KLuW). The absorption, stimulated-emission and gain cross-section spectra of 3.5 at% Yb, 5.5 at% In-doped KLuW are determined at room temperature with polarized light and compared with those for Yb,In:KYW, as well as singly Yb-doped KLuW and KYW crystals. It is found that the introduction of In results in a decrease of the transition cross-sections and in a spectral broadening of the absorption and emission bands. Such a broadening is more pronounced for light polarization E ||Np. For Yb,In:KLuW, the maximum σabs is 9.9×10–20 cm2 at 980.9 nm for E ||Nm and the corresponding bandwidth of the absorption peak is 3.7 nm. The radiative lifetime for Yb3+ ions is 237±5 µs. The stimulated-emission cross-sections are σSE(m)=2.4×10–20 cm2 at 1022.4 nm and σSE(p)=1.3×10–20 cm2 at 1039.1 nm corresponding to an emission bandwidth of >30 nm and >35 nm, respectively. The diode-pumped Ng-cut Yb,In:KLuW microchip laser generated 4.11 W at 1042–1048 nm with a slope efficiency of 78%. The Yb,In:KLuW crystal is very promising for the generation of sub-100 fs pulses in mode-locked lasers due to its broadband emission characteristics.
    Grupo de investigación: Física i Cristal.lografia de Materials Física i Cristal·lografia de Nanomaterials
    Áreas temáticas: Química Química Chemistry
    Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
    ISSN: 0022-2313
    Identificador del autor: 0000-0003-1940-1990; 0000-0002-4299-538X; 0000-0002-4270-0668; n/a; n/a; n/a; 0000-0001-6130-9579; 0000-0003-4581-4967
    Fecha de alta del registro: 2017-01-12
    Página final: 400
    Volumen de revista: 183
    Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/submittedVersion
    URL Documento de licencia: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
    Entidad: Universitat Rovira i Virgili
    Año de publicación de la revista: 2017
    Página inicial: 391
    Tipo de publicación: Article Artículo Article
  • Palabras clave:

    Làsers d'estat sòlid
    Iterbi -- Absorció i adsorció
    absorption
    luminescence
    Diode-pumped laser
    Química
    Química
    Chemistry
    0022-2313
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