Autor según el artículo: Serres, J. M.; Loiko, P.; Mateos, X.; Jambunathan, V.; Yasukevich, A. S.; Yumashev, K. V.; Petrov, V.; Griebner, U.; Aguilo, M.; Diaz, F.;
Departamento: Química Física i Inorgànica
Autor/es de la URV: Aguiló Díaz, Magdalena / Díaz González, Francisco Manuel / Mateos Ferré, Xavier / Serres Serres, Josep Maria
Palabras clave: Tm Spectroscopy Pumped continuous-wave Operation Lasers, q-switched Laser materials Infrared and far-infrared lasers Growth Energy Diode Co-doped (ho
Resumen: A diode-pumped Tm,Ho:KLu (WO4)(2) microchip laser passively Q-switched with a Cr:ZnS saturable absorber generated an average output power of 131 mW at 2063.6 nm with a slope efficiency of 11% and a Q-switching conversion efficiency of 58%. The pulse characteristics were 14 ns/9 mu J at a pulse repetition frequency of 14.5 kHz. With higher modulation depth of the saturable absorber, 9 ns/10.4 mu J/8.2 kHz pulses were generated at 2061.1 nm, corresponding to a record peak power extracted from a passively Q-switched Tm,Ho laser of 1.15 kW. A theoretical model is presented, predicting the pulse energy and duration. The simulations are in good agreement with the experimental results. (C) 2016 Optical Society of America
Áreas temáticas: Química Optics Odontología Medicina iii Medicina ii Materiais Matemática / probabilidade e estatística Interdisciplinar Geociências Engineering (miscellaneous) Engenharias iv Engenharias iii Engenharias ii Electrical and electronic engineering Ciências ambientais Ciências agrárias i Ciência da computação Biotecnología Biodiversidade Atomic and molecular physics, and optics Astronomia / física
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Referencia al articulo segun fuente origial: Applied Optics. 55 (14): 3757-3763
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DOI del artículo: 10.1364/AO.55.003757
Entidad: Universitat Rovira i Virgili
Año de publicación de la revista: 2016
Tipo de publicación: Journal Publications
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