Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Analytical predictive 2d modeling of pinch-off behavior in nanoscale multi-gate mosfets

  • Dades identificatives

    Identificador: TDX:1012
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1012

  • Autors:

    Weidemann, Michaela Patricia

  • Altres:

    Data: 2011-01-12
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/52800
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Weidemann, Michaela Patricia
    Director: Íñiguez Nicolau, Benjamí Kloes, Alexander
    Format: application/pdf 144 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: Mosfet Multi-gate Nanoscale Modeling
    Títol: Analytical predictive 2d modeling of pinch-off behavior in nanoscale multi-gate mosfets
    Matèria: 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions

  • Paraules clau:

    621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar