Fecha: 2011-01-12

Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.

Idioma: eng

Identificador: http://hdl.handle.net/10803/52800

Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Autor: Weidemann, Michaela Patricia

Director: Íñiguez Nicolau, Benjamí Kloes, Alexander

Formato: application/pdf 144 p.

Editor: Universitat Rovira i Virgili

Palabra clave: Mosfet Multi-gate Nanoscale Modeling

Título: Analytical predictive 2d modeling of pinch-off behavior in nanoscale multi-gate mosfets

Materia: 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions