Repositori URV

Identificador: TDX:1180

Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1180

Autors:
Schwarz, Mike

Resum:
En esta tesis se analiza el comportamiento físico de los principales mecanismos de transporte en dispositivos Schottky barrier (Double-Gate) MOSFET nanométricos, y se presentan nuevos modelos compactos apropiads. Se desarrollaron soluciones analíticas completamente bidimensionales de la electrostàtica de estos dispositivos con ayuda de la técnica de mapeado conforme Schwarz-Christoffel. Basándose en estas soluciones electrostáticas analíticas, se desarrolló un método analítico de cálculo de las corrientes. El modelo se comparó y validó con simulaciones numéricas obtenidas mediante TCAD Sentaurus para longitudes de canal de hasta 22 nm, y con medidas experimentales de dispositivos SB-UTB-MOSFET con segregación de dopantes y longitud de canal de 80 nm. Se obtuvo una muy buena concordancia entre las predicciones del modelo compacto por un lado, y las simulaciones TCAD y medidas experimentales por otro.