Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets

  • Dades identificatives

    Identificador: TDX:1180
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1180

  • Autors:

    Schwarz, Mike

  • Altres:

    Data: 2012-10-22
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/108995
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Schwarz, Mike
    Director: Íñiguez Nicolau, Benjamí Kloes, Alexander
    Format: application/pdf 260 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: nanoelectrònica modelització nanodispositius electrònics
    Títol: Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets
    Matèria: 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions 62 - Enginyeria. Tecnologia

  • Paraules clau:

    621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
    62 - Enginyeria. Tecnologia

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar