Fecha: 2012-10-22

Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.

Idioma: eng

Identificador: http://hdl.handle.net/10803/108995

Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Autor: Schwarz, Mike

Director: Íñiguez Nicolau, Benjamí Kloes, Alexander

Formato: application/pdf 260 p.

Editor: Universitat Rovira i Virgili

Palabra clave: nanoelectrònica modelització nanodispositius electrònics

Título: Two-dimensional analytical predictive modeling of schottky barrier soi and multi-gate mosfets

Materia: 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions 62 - Enginyeria. Tecnologia