Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Data: 2014-09-18
Idioma: eng
Identificador: http://hdl.handle.net/10803/284038 T 1670-2014
Director: false Kloes, Alexander Iñiguez, Benjamin true thomasholtij@gmail.com
Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Autor: Holtij, Thomas
Format: application/pdf 186 p.
Editor: Universitat Rovira i Virgili
Paraula Clau: TCAD Simulations MOSFET Modeling Semiconductor Devices simulaciones TCAD modelizacion de MOSFET Dispositivos semiconducto conformal mapping simulacions TCAD modelització de MOSFET dispositius semiconductor
Títol: ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
Matèria: 621.3 62 TCAD Simulations MOSFET Modeling Semiconductor Devices simulaciones TCAD modelizacion de MOSFET Dispositivos semiconducto conformal mapping simulacions TCAD modelització de MOSFET dispositius semiconductor
Repositori URV