Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.

  • Datos identificativos

    Identificador:  TDX:1416
    Handle:  https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1416
    Autores:  Holtij, Thomas

  • Otros:

    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
    Fecha: 2014-09-18
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/284038; T 1670-2014
    Director: false; Kloes, Alexander; Iñiguez, Benjamin; true; thomasholtij@gmail.com
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Holtij, Thomas
    Formato: application/pdf; 186 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: TCAD Simulations; MOSFET Modeling; Semiconductor Devices; simulaciones TCAD; modelizacion de MOSFET; Dispositivos semiconducto; conformal mapping; simulacions TCAD; modelització de MOSFET; dispositius semiconductor
    Título: ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS.
    Materia: 621.3; 62; TCAD Simulations; MOSFET Modeling; Semiconductor Devices; simulaciones TCAD; modelizacion de MOSFET; Dispositivos semiconducto; conformal mapping; simulacions TCAD; modelització de MOSFET; dispositius semiconductor

  • Palabras clave:

    621.3
    62
    TCAD Simulations
    MOSFET Modeling
    Semiconductor Devices
    simulaciones TCAD
    modelizacion de MOSFET
    Dispositivos semiconducto
    conformal mapping
    simulacions TCAD
    modelització de MOSFET
    dispositius semiconductor

  • Documentos:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar