Data: 2006-10-26
Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
Idioma: spa
Identificador: http://hdl.handle.net/10803/8464; http://www.tdx.cat/TDX-0913107-094624
Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Autor: Torres Chavez, Ivaldo
Director: Vetter, Michael; Pallarés Marzal, Josep
Format: application/pdf
Editor: Universitat Rovira i Virgili
Paraula Clau: a-SiCx:H; Recristalización in-situ; equipo de medida de transmisiónóptica; LED; Absorción Banda a banda; Absorción Cargas libres; c-Si
Títol: Sistema de medida de la transmisión óptica de bajo coste con LED a 1.45 um: obtención del coeficiente de absorción del c-Si a altas temperaturas y monitorización in-situ de la recristalización de capas a-SiCx:H sobre c-Si.
Matèria: 62; a-SiCx:H; Recristalización in-situ; equipo de medida de transmisiónóptica; LED; Absorción Banda a banda; Absorción Cargas libres; c-Si