Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Sistema de medida de la transmisión óptica de bajo coste con LED a 1.45 um: obtención del coeficiente de absorción del c-Si a altas temperaturas y monitorización in-situ de la recristalización de capas a-SiCx:H sobre c-Si.

  • Datos identificativos

    Identificador: TDX:1915
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1915
    Autores:
    Torres Chavez, Ivaldo

  • Otros:

    Fecha: 2006-10-26
    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: spa
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/8464 http://www.tdx.cat/TDX-0913107-094624
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Torres Chavez, Ivaldo
    Director: Vetter, Michael Pallarés Marzal, Josep
    Formato: application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: a-SiCx:H Recristalización in-situ equipo de medida de transmisiónóptica LED Absorción Banda a banda Absorción Cargas libres c-Si
    Título: Sistema de medida de la transmisión óptica de bajo coste con LED a 1.45 um: obtención del coeficiente de absorción del c-Si a altas temperaturas y monitorización in-situ de la recristalización de capas a-SiCx:H sobre c-Si.
    Materia: 62 a-SiCx:H Recristalización in-situ equipo de medida de transmisiónóptica LED Absorción Banda a banda Absorción Cargas libres c-Si

  • Palabras clave:

    62
    a-SiCx:H
    Recristalización in-situ
    equipo de medida de transmisiónóptica
    LED
    Absorción Banda a banda
    Absorción Cargas libres
    c-Si

  • Documentos:

    Memoria

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