Tesis doctoralsDepartament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Sistema de medida de la transmisión óptica de bajo coste con LED a 1.45 um: obtención del coeficiente de absorción del c-Si a altas temperaturas y monitorización in-situ de la recristalización de capas a-SiCx:H sobre c-Si.

  • Datos identificativos

    Identificador:  TDX:1915
    Autores:  Torres Chavez, Ivaldo
  • Otros:

    Fecha: 2006-10-26
    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: spa
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/8464; http://www.tdx.cat/TDX-0913107-094624
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Torres Chavez, Ivaldo
    Director: Vetter, Michael; Pallarés Marzal, Josep
    Formato: application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: a-SiCx:H; Recristalización in-situ; equipo de medida de transmisiónóptica; LED; Absorción Banda a banda; Absorción Cargas libres; c-Si
    Título: Sistema de medida de la transmisión óptica de bajo coste con LED a 1.45 um: obtención del coeficiente de absorción del c-Si a altas temperaturas y monitorización in-situ de la recristalización de capas a-SiCx:H sobre c-Si.
    Materia: 62; a-SiCx:H; Recristalización in-situ; equipo de medida de transmisiónóptica; LED; Absorción Banda a banda; Absorción Cargas libres; c-Si
  • Palabras clave:

    62
    a-SiCx:H
    Recristalización in-situ
    equipo de medida de transmisiónóptica
    LED
    Absorción Banda a banda
    Absorción Cargas libres
    c-Si
  • Documentos:

  • Cerca a google

    Search to google scholar