Tesis doctoralsDepartament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs

  • Dades identificatives

    Identificador:  TDX:2766
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX2766
    Autors:  Hosenfeld, Fabian

  • Altres:

    Data: 2017-12-15
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/462901
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Hosenfeld, Fabian
    Director: Gunther klös, Alexander; Iñiguez Nicolau, Benjamin; Gilbert Marie Lime, François
    Format: 152 p.; application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: analytical modeling; ultra-scaled MOSFET; modelado analítico; MOSFET ultra-escalado; NEGF; modelatge analític; MOSFET d'ultraescala
    Títol: NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs
    Matèria: 621.3; 62; Enginyeria i Arquitectura; analytical modeling; ultra-scaled MOSFET; modelado analítico; MOSFET ultra-escalado; NEGF; modelatge analític; MOSFET d'ultraescala

  • Paraules clau:

    621.3
    62
    Enginyeria i Arquitectura
    analytical modeling
    ultra-scaled MOSFET
    modelado analítico
    MOSFET ultra-escalado
    NEGF
    modelatge analític
    MOSFET d'ultraescala

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar