Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs

  • Dades identificatives

    Identificador: TDX:2766
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX2766
    Autors:
    Hosenfeld, Fabian

  • Altres:

    Data: 2017-12-15
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/462901
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Hosenfeld, Fabian
    Director: Gunther klös, Alexander Iñiguez Nicolau, Benjamin Gilbert Marie Lime, François
    Format: 152 p. application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: analytical modeling ultra-scaled MOSFET modelado analítico MOSFET ultra-escalado NEGF modelatge analític MOSFET d'ultraescala
    Títol: NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs
    Matèria: 621.3 62 Enginyeria i Arquitectura analytical modeling ultra-scaled MOSFET modelado analítico MOSFET ultra-escalado NEGF modelatge analític MOSFET d'ultraescala

  • Paraules clau:

    621.3
    62
    Enginyeria i Arquitectura
    analytical modeling
    ultra-scaled MOSFET
    modelado analítico
    MOSFET ultra-escalado
    NEGF
    modelatge analític
    MOSFET d'ultraescala

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar