Data: 2017-12-15
Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Idioma: eng
Identificador: http://hdl.handle.net/10803/462901
Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Autor: Hosenfeld, Fabian
Director: Gunther klös, Alexander Iñiguez Nicolau, Benjamin Gilbert Marie Lime, François
Format: 152 p. application/pdf
Editor: Universitat Rovira i Virgili
Paraula Clau: analytical modeling ultra-scaled MOSFET modelado analítico MOSFET ultra-escalado NEGF modelatge analític MOSFET d'ultraescala
Títol: NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs
Matèria: 621.3 62 Enginyeria i Arquitectura analytical modeling ultra-scaled MOSFET modelado analítico MOSFET ultra-escalado NEGF modelatge analític MOSFET d'ultraescala
Repositori URV