NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs

Fecha: 2017-12-15

Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.

Idioma: eng

Identificador: http://hdl.handle.net/10803/462901

Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Autor: Hosenfeld, Fabian

Director: Gunther klös, Alexander; Iñiguez Nicolau, Benjamin; Gilbert Marie Lime, François

Formato: 152 p.; application/pdf

Editor: Universitat Rovira i Virgili

Palabra clave: analytical modeling; ultra-scaled MOSFET; modelado analítico; MOSFET ultra-escalado; NEGF; modelatge analític; MOSFET d'ultraescala

Título: NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs

Materia: 621.3; 62; Enginyeria i Arquitectura; analytical modeling; ultra-scaled MOSFET; modelado analítico; MOSFET ultra-escalado; NEGF; modelatge analític; MOSFET d'ultraescala