Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets

  • Dades identificatives

    Identificador: TDX:972
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX972

  • Autors:

    Nae, Bogdan Mihai

  • Altres:

    Data: 2011-04-29
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/38883
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Nae, Bogdan Mihai
    Director: Lázaro, Antonio (Lázaro Guillén)
    Format: application/pdf 296 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: Compact modeling RF Noise Multiple-Gate MOSFET
    Títol: Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets
    Matèria: 621 - Enginyeria mecànica en general. Tecnologia nuclear. Electrotècnia. Maquinària 53 - Física

  • Paraules clau:

    621 - Enginyeria mecànica en general. Tecnologia nuclear. Electrotècnia. Maquinària
    53 - Física

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar