Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets

  • Datos identificativos

    Identificador: TDX:972
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX972

  • Autores:

    Nae, Bogdan Mihai

  • Otros:

    Fecha: 2011-04-29
    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/38883
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Nae, Bogdan Mihai
    Director: Lázaro, Antonio (Lázaro Guillén)
    Formato: application/pdf 296 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: Compact modeling RF Noise Multiple-Gate MOSFET
    Título: Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets
    Materia: 621 - Enginyeria mecànica en general. Tecnologia nuclear. Electrotècnia. Maquinària 53 - Física

  • Palabras clave:

    621 - Enginyeria mecànica en general. Tecnologia nuclear. Electrotècnia. Maquinària
    53 - Física

  • Documentos:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar