Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Química

Porous GaN produced by CVD: progress in development and characterization

  • Identification data

    Identifier:  TDX:2661
    Handle:  https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX2661
    Authors:  Mena Gómez, Josué

  • Others:

    Date: 2017-11-02
    Departament/Institute: Departament d'Enginyeria Química; Universitat Rovira i Virgili.
    Language: eng
    Identifier: http://hdl.handle.net/10803/457707
    Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Author: Mena Gómez, Josué
    Director: Carvajal Martí, Joan Josep; Aguiló Díaz, Magdalena
    Format: 292 p.; application/pdf
    Publisher: Universitat Rovira i Virgili
    Keywords: chemical vapor deposition; porous GaN; GaN poroso; deposició química de vapor; semiconductor; GaN porós
    Title: Porous GaN produced by CVD: progress in development and characterization
    Subject: 546; 544; 538.9; 535; Ciències; chemical vapor deposition; porous GaN; GaN poroso; deposició química de vapor; semiconductor; GaN porós

  • Keywords:

    546
    544
    538.9
    535
    Ciències
    chemical vapor deposition
    porous GaN
    GaN poroso
    deposició química de vapor
    semiconductor
    GaN porós

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar