Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Química

Porous GaN produced by CVD: progress in development and characterization

  • Datos identificativos

    Identificador: TDX:2661
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX2661
    Autores:
    Mena Gómez, Josué

  • Otros:

    Fecha: 2017-11-02
    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Química Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/457707
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Mena Gómez, Josué
    Director: Carvajal Martí, Joan Josep Aguiló Díaz, Magdalena
    Formato: 292 p. application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: chemical vapor deposition porous GaN GaN poroso deposició química de vapor semiconductor GaN porós
    Título: Porous GaN produced by CVD: progress in development and characterization
    Materia: 546 544 538.9 535 Ciències chemical vapor deposition porous GaN GaN poroso deposició química de vapor semiconductor GaN porós

  • Palabras clave:

    546
    544
    538.9
    535
    Ciències
    chemical vapor deposition
    porous GaN
    GaN poroso
    deposició química de vapor
    semiconductor
    GaN porós

  • Documentos:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar