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Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications

  • Datos identificativos

    Identificador: TDX:1409
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1409
    Autores:
    Bilousov, Oleksandr

  • Otros:

    Fecha: 2014-07-09
    Departamento/Instituto: Departament de Química Física i Inorgànica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/283316 T 1557-2014
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Bilousov, Oleksandr
    Director: Aguiló Díaz, Magdalena Carvajal Martí, Joan Josep
    Formato: 314 p. application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: Graphene porous GaN Grafeno GaN poroso semiconductor CVD GaN porós
    Título: Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
    Materia: 621.3 548 538.9 537 Graphene porous GaN Grafeno GaN poroso semiconductor CVD GaN porós

  • Palabras clave:

    621.3
    548
    538.9
    537
    Graphene
    porous GaN
    Grafeno
    GaN poroso
    semiconductor
    CVD
    GaN porós

  • Documentos:

    Memoria

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