Autor segons l'article: Lime, F.; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; Iñiguez, B.
Departament: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Autor/s de la URV: LIME, FRANÇOIS; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN
Paraules clau: gate-all-around (GAA) MOSFET drain current compact model
Resum: In this paper we provide solutions to update a long channel model in order to take into account the short channel effects. The presented model is for the junctionless GAA MOSFETs. The resulting model is analytical, explicit and valid for depletion and accumulation regimes, and consists of simple physically based equations, for better understanding of this device, and also easier implementation and better computation speed as a compact model. The agreement with TCAD simulations is very good.
Grup de recerca: Nanoelectronic and Photonic Systems
Àrees temàtiques: Electronic engineering Ingeniería electrónica Enginyeria electrònica
Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
ISSN: 0038-1101
Identificador de l'autor: 0000-0002-1024-6480; n/a; n/a; 0000-0002-6504-7980
Data d'alta del registre: 2017-03-14
Pàgina final: 29
Volum de revista: 131
Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Enllaç font original: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0038110117301077?via%3Dihub
URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
DOI de l'article: 10.1016/j.sse.2017.02.004
Entitat: Universitat Rovira i Virgili
Any de publicació de la revista: 2017
Pàgina inicial: 24
Tipus de publicació: Article Artículo Article
Repositori URV