Articles producció científicaEnginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

A compact explicit DC model for short channel Gate-All-Around junctionless MOSFETs

  • Dades identificatives

    Identificador:  PC:2599
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/PC2599
    Autors:  Lime, F.; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; Iñiguez, B.
    Resum:
    Filiació URV: SI DOI: 10.1016/j.sse.2017.02.004 URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110117301077 Memòria

  • Altres:

    Enllaç font original: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0038110117301077?via%3Dihub
    DOI de l'article: 10.1016/j.sse.2017.02.004
    Any de publicació de la revista: 2017
    Entitat: Universitat Rovira i Virgili
    Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
    Data d'alta del registre: 2017-03-14
    Pàgina inicial: 24
    Autor/s de la URV: LIME, FRANÇOIS; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN
    Departament: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
    URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
    Tipus de publicació: Article
    Pàgina final: 29
    ISSN: 0038-1101
    Autor segons l'article: Lime, F.; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; Iñiguez, B.
    Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
    Volum de revista: 131
    Grup de recerca: Nanoelectronic and Photonic Systems
    Àrees temàtiques: Enginyeria electrònica

  • Paraules clau:

    Transistors MOSFET
    Electronic engineering
    Ingeniería electrónica
    Enginyeria electrònica
    0038-1101

  • Documents:

    DocumentPrincipal

  • Cerca a google

    Search to google scholar