Autor según el artículo: Lime, F.; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; Iñiguez, B.

Departamento: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Autor/es de la URV: LIME, FRANÇOIS; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN

Palabras clave: gate-all-around (GAA) MOSFET drain current compact model

Resumen: In this paper we provide solutions to update a long channel model in order to take into account the short channel effects. The presented model is for the junctionless GAA MOSFETs. The resulting model is analytical, explicit and valid for depletion and accumulation regimes, and consists of simple physically based equations, for better understanding of this device, and also easier implementation and better computation speed as a compact model. The agreement with TCAD simulations is very good.

Grupo de investigación: Nanoelectronic and Photonic Systems

Áreas temáticas: Electronic engineering Ingeniería electrónica Enginyeria electrònica

Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/

ISSN: 0038-1101

Identificador del autor: 0000-0002-1024-6480; n/a; n/a; 0000-0002-6504-7980

Fecha de alta del registro: 2017-03-14

Página final: 29

Volumen de revista: 131

Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion

Enlace a la fuente original: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0038110117301077?via%3Dihub

DOI del artículo: 10.1016/j.sse.2017.02.004

Entidad: Universitat Rovira i Virgili

Año de publicación de la revista: 2017

Página inicial: 24

Tipo de publicación: Article Artículo Article