Autor según el artículo: Lime, F.; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; Iñiguez, B.
Departamento: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Autor/es de la URV: LIME, FRANÇOIS; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN
Palabras clave: gate-all-around (GAA) MOSFET drain current compact model
Resumen: In this paper we provide solutions to update a long channel model in order to take into account the short channel effects. The presented model is for the junctionless GAA MOSFETs. The resulting model is analytical, explicit and valid for depletion and accumulation regimes, and consists of simple physically based equations, for better understanding of this device, and also easier implementation and better computation speed as a compact model. The agreement with TCAD simulations is very good.
Grupo de investigación: Nanoelectronic and Photonic Systems
Áreas temáticas: Electronic engineering Ingeniería electrónica Enginyeria electrònica
Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
ISSN: 0038-1101
Identificador del autor: 0000-0002-1024-6480; n/a; n/a; 0000-0002-6504-7980
Fecha de alta del registro: 2017-03-14
Página final: 29
Volumen de revista: 131
Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Enlace a la fuente original: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0038110117301077?via%3Dihub
URL Documento de licencia: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
DOI del artículo: 10.1016/j.sse.2017.02.004
Entidad: Universitat Rovira i Virgili
Año de publicación de la revista: 2017
Página inicial: 24
Tipo de publicación: Article Artículo Article
Repositori URV