Articles producció científicaEnginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

A compact explicit DC model for short channel Gate-All-Around junctionless MOSFETs

  • Datos identificativos

    Identificador:  PC:2599
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/PC2599
    Autores:  Lime, F.; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; Iñiguez, B.
    Resumen:
    Filiació URV: SI DOI: 10.1016/j.sse.2017.02.004 URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110117301077 Memòria

  • Otros:

    Enlace a la fuente original: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0038110117301077?via%3Dihub
    DOI del artículo: 10.1016/j.sse.2017.02.004
    Año de publicación de la revista: 2017
    Entidad: Universitat Rovira i Virgili
    Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
    Fecha de alta del registro: 2017-03-14
    Página inicial: 24
    Autor/es de la URV: LIME, FRANÇOIS; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN
    Departamento: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
    URL Documento de licencia: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
    Tipo de publicación: Artículo
    Página final: 29
    ISSN: 0038-1101
    Autor según el artículo: Lime, F.; Ávila-Herrera, F.; Cerdeira, A.; Iñiguez, B.
    Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
    Volumen de revista: 131
    Grupo de investigación: Nanoelectronic and Photonic Systems
    Áreas temáticas: Ingeniería electrónica

  • Palabras clave:

    Transistors MOSFET
    Electronic engineering
    Ingeniería electrónica
    Enginyeria electrònica
    0038-1101

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