Autor segons l'article: J. J. Carvajal; F. Díaz; M. Aguiló; J. Mena; O. V. Bilousov; O. Martínez; J. Jiménez; V.Z. Zubialevich; P.J. Parbrook; H. Geaney; C.O¿Dwyer
Departament: Química Física i Inorgànica
Autor/s de la URV: CARVAJAL MARTÍ, JOAN JOSEP; DÍAZ GONZÁLEZ, FRANCISCO MANUEL; AGUILÓ DÍAZ, MAGDALENA; J. Mena; O. V. Bilousov; O. Martínez; J. Jiménez; V.Z. Zubialevich; P.J. Parbrook; H. Geaney; C.O¿Dwyer
Paraules clau: GaN based LED Semiconductor devices Chemical vapor depositions (CVD)
Resum: Porous GaN based LEDs produced by corrosion etching techniques have demonstrated enhanced light extraction efficiencies in th epast. However, these fabrication techniques require further postgrowth processing steps, which increase the price of the final device. In this paper, we review the process we developed for the formation of fully porous GaN p-n junctions directly during growth, using a sequential chemical vapor deposition (CVD)
process to produce the different layers that form the p-n junction.
Grup de recerca: Física i Cristal·lografia de Nanomaterials Física i Cristal.lografia de Materials
Àrees temàtiques: Chemistry Química Química
Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
ISSN: 1938-5862
Identificador de l'autor: 0000-0002-4389-7298; 0000-0003-4581-4967; 0000-0001-6130-9579; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8; 9
Data d'alta del registre: 2017-05-31
Pàgina final: 176
Volum de revista: 66
Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Programa de finançament: altres; JCYL (VA293U13) altres; Grupos consolidados; 2014SGR1358 plan; RETOS; MAT2013-47395-C4-4-R plan; Excelencia; MAT2011-29255-C02-02
URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
Entitat: Universitat Rovira i Virgili
Any de publicació de la revista: 2015
Pàgina inicial: 163
Tipus de publicació: Article Artículo Article
Repositori URV