Articles producció científica> Química Física i Inorgànica

Fully porous GaN p-n junctions fabricated by Chemical Vapor Deposition: a green technology towards more efficient LEDs

  • Dades identificatives

    Identificador: PC:2895
    Autors:
    J. J. CarvajalF. DíazM. AguilóJ. MenaO. V. BilousovO. MartínezJ. JiménezV.Z. ZubialevichP.J. ParbrookH. GeaneyC.O¿Dwyer
    Resum:
    10.1149/06601.0163ecst http://ecst.ecsdl.org/content/66/1/163.abstract Filiació URV: SI
  • Altres:

    Autor segons l'article: J. J. Carvajal; F. Díaz; M. Aguiló; J. Mena; O. V. Bilousov; O. Martínez; J. Jiménez; V.Z. Zubialevich; P.J. Parbrook; H. Geaney; C.O¿Dwyer
    Departament: Química Física i Inorgànica
    Autor/s de la URV: CARVAJAL MARTÍ, JOAN JOSEP; DÍAZ GONZÁLEZ, FRANCISCO MANUEL; AGUILÓ DÍAZ, MAGDALENA; J. Mena; O. V. Bilousov; O. Martínez; J. Jiménez; V.Z. Zubialevich; P.J. Parbrook; H. Geaney; C.O¿Dwyer
    Paraules clau: GaN based LED Semiconductor devices Chemical vapor depositions (CVD)
    Resum: Porous GaN based LEDs produced by corrosion etching techniques have demonstrated enhanced light extraction efficiencies in th epast. However, these fabrication techniques require further postgrowth processing steps, which increase the price of the final device. In this paper, we review the process we developed for the formation of fully porous GaN p-n junctions directly during growth, using a sequential chemical vapor deposition (CVD) process to produce the different layers that form the p-n junction.
    Grup de recerca: Física i Cristal·lografia de Nanomaterials Física i Cristal.lografia de Materials
    Àrees temàtiques: Chemistry Química Química
    Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
    ISSN: 1938-5862
    Identificador de l'autor: 0000-0002-4389-7298; 0000-0003-4581-4967; 0000-0001-6130-9579; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8; 9
    Data d'alta del registre: 2017-05-31
    Pàgina final: 176
    Volum de revista: 66
    Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
    Enllaç font original: https://iopscience.iop.org/article/10.1149/06601.0163ecst
    Programa de finançament: altres; JCYL (VA293U13) altres; Grupos consolidados; 2014SGR1358 plan; RETOS; MAT2013-47395-C4-4-R plan; Excelencia; MAT2011-29255-C02-02
    URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
    DOI de l'article: 10.1149/06601.0163ecst
    Entitat: Universitat Rovira i Virgili
    Any de publicació de la revista: 2015
    Pàgina inicial: 163
    Tipus de publicació: Article Artículo Article
  • Paraules clau:

    Díodes electroluminescents
    GaN based LED
    Semiconductor devices
    Chemical vapor depositions (CVD)
    Chemistry
    Química
    Química
    1938-5862
  • Documents:

  • Cerca a google

    Search to google scholar