Autor según el artículo: J. J. Carvajal; F. Díaz; M. Aguiló; J. Mena; O. V. Bilousov; O. Martínez; J. Jiménez; V.Z. Zubialevich; P.J. Parbrook; H. Geaney; C.O¿Dwyer

Departamento: Química Física i Inorgànica

Autor/es de la URV: CARVAJAL MARTÍ, JOAN JOSEP; DÍAZ GONZÁLEZ, FRANCISCO MANUEL; AGUILÓ DÍAZ, MAGDALENA; J. Mena; O. V. Bilousov; O. Martínez; J. Jiménez; V.Z. Zubialevich; P.J. Parbrook; H. Geaney; C.O¿Dwyer

Palabras clave: GaN based LED Semiconductor devices Chemical vapor depositions (CVD)

Resumen: Porous GaN based LEDs produced by corrosion etching techniques have demonstrated enhanced light extraction efficiencies in th epast. However, these fabrication techniques require further postgrowth processing steps, which increase the price of the final device. In this paper, we review the process we developed for the formation of fully porous GaN p-n junctions directly during growth, using a sequential chemical vapor deposition (CVD) process to produce the different layers that form the p-n junction.

Grupo de investigación: Física i Cristal·lografia de Nanomaterials Física i Cristal.lografia de Materials

Áreas temáticas: Chemistry Química Química

Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/

ISSN: 1938-5862

Identificador del autor: 0000-0002-4389-7298; 0000-0003-4581-4967; 0000-0001-6130-9579; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8; 9

Fecha de alta del registro: 2017-05-31

Página final: 176

Volumen de revista: 66

Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion

Enlace a la fuente original: https://iopscience.iop.org/article/10.1149/06601.0163ecst

Programa de financiación: altres; JCYL (VA293U13) altres; Grupos consolidados; 2014SGR1358 plan; RETOS; MAT2013-47395-C4-4-R plan; Excelencia; MAT2011-29255-C02-02

DOI del artículo: 10.1149/06601.0163ecst

Entidad: Universitat Rovira i Virgili

Año de publicación de la revista: 2015

Página inicial: 163

Tipo de publicación: Article Artículo Article