Autor según el artículo: J. J. Carvajal; F. Díaz; M. Aguiló; J. Mena; O. V. Bilousov; O. Martínez; J. Jiménez; V.Z. Zubialevich; P.J. Parbrook; H. Geaney; C.O¿Dwyer
Departamento: Química Física i Inorgànica
Autor/es de la URV: CARVAJAL MARTÍ, JOAN JOSEP; DÍAZ GONZÁLEZ, FRANCISCO MANUEL; AGUILÓ DÍAZ, MAGDALENA; J. Mena; O. V. Bilousov; O. Martínez; J. Jiménez; V.Z. Zubialevich; P.J. Parbrook; H. Geaney; C.O¿Dwyer
Palabras clave: GaN based LED Semiconductor devices Chemical vapor depositions (CVD)
Resumen: Porous GaN based LEDs produced by corrosion etching techniques have demonstrated enhanced light extraction efficiencies in th epast. However, these fabrication techniques require further postgrowth processing steps, which increase the price of the final device. In this paper, we review the process we developed for the formation of fully porous GaN p-n junctions directly during growth, using a sequential chemical vapor deposition (CVD)
process to produce the different layers that form the p-n junction.
Grupo de investigación: Física i Cristal·lografia de Nanomaterials Física i Cristal.lografia de Materials
Áreas temáticas: Chemistry Química Química
Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
ISSN: 1938-5862
Identificador del autor: 0000-0002-4389-7298; 0000-0003-4581-4967; 0000-0001-6130-9579; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8; 9
Fecha de alta del registro: 2017-05-31
Página final: 176
Volumen de revista: 66
Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Enlace a la fuente original: https://iopscience.iop.org/article/10.1149/06601.0163ecst
Programa de financiación: altres; JCYL (VA293U13) altres; Grupos consolidados; 2014SGR1358 plan; RETOS; MAT2013-47395-C4-4-R plan; Excelencia; MAT2011-29255-C02-02
URL Documento de licencia: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
DOI del artículo: 10.1149/06601.0163ecst
Entidad: Universitat Rovira i Virgili
Año de publicación de la revista: 2015
Página inicial: 163
Tipo de publicación: Article Artículo Article
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