Autor segons l'article: Rodríguez R; González B; García J; Lázaro A; Iñiguez B; Hernández A
Departament: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Autor/s de la URV: Iñiguez Nicolau, Benjamin / Lázaro Guillén, Antonio Ramon
Paraules clau: Affordable and clean energy
Resum: This paper analyses the undoped DG-MOSFETs capability for the operation of rectifiers for RFIDs and Wireless Power Transmission (WPT) at microwave frequencies. For this purpose, a large-signal compact model has been developed and implemented in Verilog-A. The model has been numerically validated with a device simulator (Sentaurus). It is found that the number of stages to achieve the optimal rectifier performance is inferior to that required with conventional MOSFETs. In addition, the DC output voltage could be incremented with the use of appropriate mid-gap metals for the gate, as TiN. Minor impact of short channel effects (SCEs) on rectification is also pointed out. © 2016 R. Rodríguez et al.
Àrees temàtiques: Química Physics, condensed matter Materiais Engenharias ii Condensed matter physics Astronomia / física
Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
Adreça de correu electrònic de l'autor: antonioramon.lazaro@urv.cat benjamin.iniguez@urv.cat
Identificador de l'autor: 0000-0003-3160-5777 0000-0002-6504-7980
Data d'alta del registre: 2024-11-16
Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/publishedVersion
URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
Referència a l'article segons font original: Advances In Condensed Matter Physics. 2016 1-6
Referència de l'ítem segons les normes APA: Rodríguez R; González B; García J; Lázaro A; Iñiguez B; Hernández A (2016). Large-Signal DG-MOSFET Modelling for RFID Rectification. Advances In Condensed Matter Physics, 2016(), 1-6. DOI: 10.1155/2016/8017139
Entitat: Universitat Rovira i Virgili
Any de publicació de la revista: 2016
Tipus de publicació: Journal Publications
Repositori URV