Articles producció científica> Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact Modeling Approaches for Organic and Amorphous Oxide Semiconductor TFTs

  • Dades identificatives

    Identificador: imarina:9291469
    Autors:
    Benjamin Iñiguez
  • Altres:

    Autor segons l'article: Benjamin Iñiguez
    Departament: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
    Autor/s de la URV: Iñiguez Nicolau, Benjamin
    Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
    Adreça de correu electrònic de l'autor: benjamin.iniguez@urv.cat
    Identificador de l'autor: 0000-0002-6504-7980
    Data d'alta del registre: 2024-03-01
    Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
    Enllaç font original: https://ieeexplore.ieee.org/document/9520649
    Referència a l'article segons font original: 12th International Conference On Computer-Aided Design For Thin Film Transistor Technologies (Cad-Tft 2021).
    Referència de l'ítem segons les normes APA: Benjamin Iñiguez (2021). Compact Modeling Approaches for Organic and Amorphous Oxide Semiconductor TFTs.
    URL Document de llicència: https://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
    DOI de l'article: 10.1109/JEDS.2021.3106836.hal-03325532
    Entitat: Universitat Rovira i Virgili
    Any de publicació de la revista: 2021
    Tipus de publicació: Proceedings Paper