Autor segons l'article: Benjamin Iñiguez
Departament: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Autor/s de la URV: Iñiguez Nicolau, Benjamin
Accès a la llicència d'ús: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
Adreça de correu electrònic de l'autor: benjamin.iniguez@urv.cat
Identificador de l'autor: 0000-0002-6504-7980
Data d'alta del registre: 2024-03-01
Versió de l'article dipositat: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Enllaç font original: https://ieeexplore.ieee.org/document/9520649
Referència a l'article segons font original: 12th International Conference On Computer-Aided Design For Thin Film Transistor Technologies (Cad-Tft 2021).
Referència de l'ítem segons les normes APA: Benjamin Iñiguez (2021). Compact Modeling Approaches for Organic and Amorphous Oxide Semiconductor TFTs.
URL Document de llicència: http://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
DOI de l'article: 10.1109/JEDS.2021.3106836.hal-03325532
Entitat: Universitat Rovira i Virgili
Any de publicació de la revista: 2021
Tipus de publicació: Proceedings Paper
Repositori URV