Autor según el artículo: Benjamin Iñiguez
Departamento: Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Autor/es de la URV: Iñiguez Nicolau, Benjamin
Acceso a la licencia de uso: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
Direcció de correo del autor: benjamin.iniguez@urv.cat
Identificador del autor: 0000-0002-6504-7980
Fecha de alta del registro: 2024-03-01
Versión del articulo depositado: info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Enlace a la fuente original: https://ieeexplore.ieee.org/document/9520649
Referencia al articulo segun fuente origial: 12th International Conference On Computer-Aided Design For Thin Film Transistor Technologies (Cad-Tft 2021).
Referencia de l'ítem segons les normes APA: Benjamin Iñiguez (2021). Compact Modeling Approaches for Organic and Amorphous Oxide Semiconductor TFTs.
URL Documento de licencia: http://repositori.urv.cat/ca/proteccio-de-dades/
DOI del artículo: 10.1109/JEDS.2021.3106836.hal-03325532
Entidad: Universitat Rovira i Virgili
Año de publicación de la revista: 2021
Tipo de publicación: Proceedings Paper
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